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【要闻】积塔半导体上海临港新厂投产

来源:兰州日报网作者:府雪兰更新时间:2021-03-10 14:41:47 阅读:

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原标题:积塔半导体上海临港新工厂的来源:大半导体产业网

华大半导体全资子企业上海积塔半导体有限企业( gta semiconductor )面对香港新工厂于今天( 6月30日)正式投产。 年成立的积塔半导体“积塔”是积沙成塔的意思。 年8月,总投资额为359亿元,在上海临港建设了积塔半导体特色技术生产线,集中在模拟电路和功率器件上。

本文引用: eepw/article/07/414949

年10月,积塔半导体与上海先进半导体合并,在积塔半导体有临港和漳河泾两个厂区。 借助上海先进模拟、高压、功率器件制造研究开发的几十年经验为积塔半导体特色技术生产线市场竞争力的确立奠定了坚实的基础。

临港产能布局致力于工业控制和汽车电子等高端应用的特色技术生产线: 8英寸生产线6万张/月,12英寸特色技术生产线3,000张/月,6英寸sic生产线5,000张/月,中国的 计划每年开始生产一步8英寸特色芯片工艺生产线,2023年开始生产二步12英寸特色芯片工艺生产线。

河泾厂区各有一条5英寸、6英寸、8英寸的生产线,年产约78万张等效8英寸晶圆,产品主要应用于工程、汽车、电力、能源等行业。 上海拥有近30年的模拟、高压、功率器件制造研发经验,涵盖bcd、hvcmos、bicmos等技术。

power ic技术工艺平台满足汽车电子高可靠性和安全性标准要求的bcd工艺平台其igbt工艺平台于2004年5月生产了国内第一个igbt2-1200v合格芯片,是国内生产igbt的 tvs特色工艺技术形成了系列低压/超低容量/低漏电tvs特色制造工艺。 mosfet工艺技术平台目前形成了包括平面mosfet、trench mosfet、super-junction mosfet等多种mosfet工艺平台,包括中低压屏蔽栅极结构mosfet, sic工艺技术平台,1200v jbs处于开发阶段,之后650v jbs和1200v/650v planner/trench mosfet正在计划中。

标题:【要闻】积塔半导体上海临港新厂投产

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