【要闻】国产存储芯片现状怎么？

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原题:国产内存芯片的现状是什么？ 资料来源:雷锋网

美光科技于6月29日(本周1日)发表了第三季度财务报告，美光CEO Sanjay Mehr OTRA表示:“展望下半年的市场趋势，有三个重点。 首先，希望数据中心前景广阔第二，希望继续改善高端智能手机和客户机终端设备的销售情况，加快整个供应链的库存消费第三，新游戏机要求越来越多的dram和nand ”。

最新数据显示，美光科技在dram出货量和nand asp (平均售价)的增加方面，超过了竞争对手三星和sk hynix。 五年前，中国清华紫外光收购了美光科技试图加强dram和nand闪存的实力，但最终没有成功，迄今为止，dram和nand仍然是中国缺乏的重要半导体组件之一。

我国半导体存储器芯片的现状如何？与美光科技等存储器芯片巨头有多大的差距？

国产芯片的供求差距很大

我国继续努力减少对海外半导体制造企业的依赖度，据《中国大陆半导体和设备市场:解体和制造趋势》的报告，2019年中国向集成电路的进口为4451.3亿片集成电路，比上年同期增加6.6%，进口额为3055.5 集成电路出口2187亿元，同比增长0.7%，出口额同比增长20%，为1015.8亿美元。

现在，中国oem制造商生产电子设备所需的半导体设备的诉求和中国内部的制造供给之间存在很大的差距，尽管中国自主制造的芯片数逐年上升，但诉求也在逐年上升，到2022年供给量为4千亿，提出诉讼

尽管2019年受到贸易限制的影响，中国的半导体进口量没有增加，在年新型冠状病毒大爆发中中国的半导体进口量增加速度更快。

在这种情况下，过去九季度中国两家内存芯片制造企业分别购买了30亿美元的生产设备，包括生产3d nand的长江存储技术( ymic )和生产dram的长鑫存储技术有限企业( CXT )。

国内存储器芯片快速发展的现状

在中国的存储器芯片市场，很多企业正在引进新的晶片工厂，在资金和技术上都有足够的马力。

长鑫存储

长鑫保存的第一家晶圆厂已经公布了19nm技术计划，总生产能力为12万张/月，生产能力从2万张上升到每月3万张，推迟了一年多，于2019年底开始生产。 长鑫存储计划在fab 1附近再增加两个晶片厂。

另外，长鑫存储也制定了以下目标，计划在未来2~3年推进lpddr5 dram产品的开发，并将流程升级到17nm以下。

长江储存有限公司

长江储藏在武汉的第一家工厂是单层建筑，每月的生产能力是12万片晶片。 利用其全资子公司武汉新芯( xmc )现有的12英寸工厂，长江年设计成功，制造了首批32层nand闪存芯片。

2019年9月2日，长江存储宣布生产64层nand闪存芯片，批量生产基于xtacking架构的256gb tlc 3d nand闪存。

年4月13日，长江存储宣布，通过多个控制器合作伙伴的合作，128层1.33tb qlc 3d nand闪存芯片x2-6070通过了ssd平台上的样本验证。

储藏在长江的母公司清华紫外光集团计划在武汉第一家晶圆厂旁边建设第二家晶圆厂，计划从底部开始，但据说现在的进度已经加快了。 清华紫外光集团没有透露该工厂的年产能源和投资金额，但该企业正在考虑在10年内向dram业务投资共计8000亿元人民币。

重庆清华紫外光

清华紫外光集团8月27日宣布，与重庆市政府协商，设立了研究开发中心和dram晶圆厂。 这个晶片工厂将于2022年完成，计划每月生产10万张晶片。 该晶圆工厂当初预定从去年开始建设，但由于贸易限制和新型冠状病毒大爆发延期了。

创新的迹象容易出现

兆易创新于去年4月宣布，计划通过非公开发行新股筹集43.2亿人民币，为进入dram存储市场提供资金。 除了自己的dram计划外，兆易创新还将投资于长鑫存储。

长江存储128层nand即将投入生产，只落后美光两个季度

2019年，长鑫存储的dram至少落后了两代，到2021年，长鑫存储落后了美光、三星和sk hynix三代。

年，长江存储的32层nand落后于世界领先的nand制造商的3代，但随着长江存储路线图的加速，预计年发布128层nand，年第四季度开始生产，长江存储的新nand为美光和sk hynix

有趣的是，储藏在长江的第二个nand晶圆工厂的建设计划提前了。 长江中积累的nand器件采用duv浸渍型光刻技术制造，没有asml的euv也能生产3d nand芯片。

因此，我们在追逐美光的过程中，没有太大的设备障碍，因为这个存储器芯片的追击战，有信心取得胜利。

中间总结

中国本土存储器芯片制造公司数量少，规模小，产品技术也比领先公司落后一点，但长江存储器、长鑫存储器的快速发展势头快，纷纷建设新的晶片厂，开发新产品，这是中国dram和nand

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